近来，由中核集团我国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束，中心方针到达世界领先水平。这标志着我国已全面把握串列型高能氢离子注入机的全链路研制技能，霸占了功率半导体制作链要害环节，为推进高端制作配备自主可控、保证工业链安全奠定坚实基础。

  据了解，离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜堆积设备并称为芯片制作“四大中心配备”，是半导体制作不可或缺的“刚需”设备。此次高能氢离子注入机的成功研制，是核技能和半导体工业深层次地交融的重要效果，将有力提高我国在功率半导体等要害范畴的自主保证才能，更为助力“双碳”方针完成、加速构成新质生产力供给强有力技能支撑。

  长时间以来，我国高能氢离子注入机彻底依靠国外进口，其研制难度大、技能壁垒高，是限制我国战略性工业晋级的瓶颈之一。原子能院依托在核物理加速器范畴数十年的深沉堆集，以串列加速器技能作为中心手法，破解一系列难题，彻底把握了串列型高能氢离子注入机从底层原理到整机集成的正向设计才能，打破了国外企业在该范畴的技能封闭和长时间独占。